제조업체 제품 번호:
BUK6E4R0-75C,127
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
BUK6E4R0-75C,127-DG
설명:
NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
상세 설명:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
재고:
19992 새로운 원본 재고 있음
12996495
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BUK6E4R0-75C,127 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
75 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
15450 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
306W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I2PAK
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-BUK6E4R0-75C,127-954
표준 패키지
273
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
관련 상품
RW4E065GNTCL1
NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
IRF644B-FP001
IRF644B - DISCRETE MOSFET
PMZ1000UN,315
NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA
