제조업체 제품 번호:
PMDPB95XNE,115
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
PMDPB95XNE,115-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON
상세 설명:
Mosfet Array 30V 2.4A 475mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
재고:
12811575
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제출
PMDPB95XNE,115 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
NXP Semiconductors
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.4A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
143pF @ 15V
전력 - 최대
475mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-UDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지
6-HUSON (2x2)
기본 제품 번호
PMDPB95
추가 정보
다른 이름들
2156-PMDPB95XNE115-NXTR
934067055115
568-10764-6
NEXNXPPMDPB95XNE,115
568-10764-1
568-10764-2
PMDPB95XNE,115-DG
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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