제조업체 제품 번호:
FCD7N60TM
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCD7N60TM-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
재고:
5978 새로운 원본 재고 있음
12846817
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FCD7N60TM 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
SuperFET™
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
920 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
83W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
FCD7N60
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FAIFSCFCD7N60TM
FCD7N60TMCT
FCD7N60TMDKR
FCD7N60TMTR
FCD7N60TM-DG
2156-FCD7N60TM-OS
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPD60R600P7SAUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
9704
부품 번호
IPD60R600P7SAUMA1-DG
단가
0.25
대체 유형
Similar
부품 번호
TK8P60W,RVQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
0
부품 번호
TK8P60W,RVQ-DG
단가
0.97
대체 유형
Similar
부품 번호
CDM7-600LR TR13 PBFREE
제조사
Central Semiconductor Corp
구매 가능 수량
2239
부품 번호
CDM7-600LR TR13 PBFREE-DG
단가
0.57
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
FQA33N10L
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
FDN372S
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
NTD4959NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK
