제조업체 제품 번호:
FCH150N65F-F155
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCH150N65F-F155-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
상세 설명:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247-3
재고:
73 새로운 원본 재고 있음
12837201
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제출
FCH150N65F-F155 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
SuperFET® II
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
24A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 2.4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3737 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
298W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
FCH150
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FCH150N65F_F155
2156-FCH150N65F-F155-OS
ONSONSFCH150N65F-F155
FCH150N65F_F155-DG
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPW60R165CPFKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
200
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IPW60R165CPFKSA1-DG
단가
2.54
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