제조업체 제품 번호:
FCP165N65S3
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCP165N65S3-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12848638
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제출
FCP165N65S3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
SuperFET® III
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 1.9mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
154W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FCP165
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FCP165N65S3OS
FCP165N65S3-DG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SPP24N60C3XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
129
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단가
2.95
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2.00
대체 유형
Parametric Equivalent
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