FDMC8296
제조업체 제품 번호:

FDMC8296

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FDMC8296-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP
상세 설명:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

재고:

12846809
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

FDMC8296 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Ta), 18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1385 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.3W (Ta), 27W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN
기본 제품 번호
FDMC82

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
FDMC8296TR
FDMC8296CT
FDMC8296DKR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
BSZ088N03LSGATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7680
부품 번호
BSZ088N03LSGATMA1-DG
단가
0.26
대체 유형
Similar
부품 번호
FDMC7696
제조사
onsemi
구매 가능 수량
4303
부품 번호
FDMC7696-DG
단가
0.35
대체 유형
Similar
부품 번호
CSD17308Q3
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
36157
부품 번호
CSD17308Q3-DG
단가
0.28
대체 유형
Similar
부품 번호
CSD16409Q3
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
6428
부품 번호
CSD16409Q3-DG
단가
0.32
대체 유형
Similar
부품 번호
RQ3E130BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1954
부품 번호
RQ3E130BNTB-DG
단가
0.15
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
alpha-and-omega-semiconductor

AOT474

MOSFET N-CH 75V 9A/127A TO220

onsemi

FQA28N50_F109

MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P

onsemi

FCD7N60TM

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

onsemi

FQA33N10L

MOSFET N-CH 100V 36A TO3P