FDMS0310AS
제조업체 제품 번호:

FDMS0310AS

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FDMS0310AS-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
상세 설명:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

재고:

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제출

FDMS0310AS 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
PowerTrench®, SyncFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A (Ta), 22A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 19A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2280 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
FDMS0310

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
FDMS0310ASDKR
FDMS0310ASTR
FDMS0310ASCT
2156-FDMS0310AS
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
RS1E200GNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2460
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RS1E200GNTB-DG
단가
0.26
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