제조업체 제품 번호:
FJP5200RTU
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FJP5200RTU-DG
설명:
TRANS NPN 250V 17A TO220-3
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 80 W Through Hole TO-220-3
재고:
12847473
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제출
FJP5200RTU 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
17 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
250 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
3V @ 800mA, 8A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
5µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
55 @ 1A, 5V
전력 - 최대
80 W
빈도 - 전환
30MHz
작동 온도
-50°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-220-3
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
기본 제품 번호
FJP520
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075
대체 모델
부품 번호
2SC5200N(S1,E,S)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
0
부품 번호
2SC5200N(S1,E,S)-DG
단가
0.86
대체 유형
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