제조업체 제품 번호:
FQD6N60CTM
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQD6N60CTM-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
재고:
12846670
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FQD6N60CTM 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
80W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
FQD6
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM4NB60CP ROG
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
9
부품 번호
TSM4NB60CP ROG-DG
단가
0.34
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
AO4496
MOSFET N CH 30V 10A 8SOIC
FDA28N50F
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
FCH099N60E
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3