제조업체 제품 번호:
FQI27N25TU-F085
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQI27N25TU-F085-DG
설명:
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
상세 설명:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 417W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
재고:
12850615
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제출
FQI27N25TU-F085 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
250 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.13W (Ta), 417W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-262 (I2PAK)
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
기본 제품 번호
FQI2
추가 정보
다른 이름들
2832-FQI27N25TU-F085
FQI27N25TU_F085
FQI27N25TU_F085-DG
표준 패키지
400
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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