제조업체 제품 번호:
FQPF12N60
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQPF12N60-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
상세 설명:
N-Channel 600 V 5.8A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220F-3
재고:
12850617
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FQPF12N60 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
700mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
55W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220F-3
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
FQPF1
추가 정보
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SPA08N80C3XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
SPA08N80C3XKSA1-DG
단가
1.13
대체 유형
Similar
부품 번호
IPA65R650CEXKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
IPA65R650CEXKSA1-DG
단가
0.42
대체 유형
Similar
부품 번호
AOTF11N60L
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
0
부품 번호
AOTF11N60L-DG
단가
0.59
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
FDMC86261P
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
BSP321PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
FDY102PZ
MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
