제조업체 제품 번호:
FQP17P10
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQP17P10-DG
설명:
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
상세 설명:
P-Channel 100 V 16.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12849070
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제출
FQP17P10 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
QFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
100W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FQP17
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSONSFQP17P10
2156-FQP17P10-OS
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF9530NPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
39687
부품 번호
IRF9530NPBF-DG
단가
0.32
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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