제조업체 제품 번호:
FQPF4N90C
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQPF4N90C-DG
설명:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
상세 설명:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
재고:
12846795
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제출
FQPF4N90C 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
QFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
900 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
960 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
47W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220F-3
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
FQPF4
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FQPF4N90C-OS
ONSFSCFQPF4N90C
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
2SK3564(STA4,Q,M)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
176
부품 번호
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
단가
0.54
대체 유형
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