제조업체 제품 번호:
FQU17P06TU
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQU17P06TU-DG
설명:
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
상세 설명:
P-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole IPAK
재고:
9839 새로운 원본 재고 있음
12840517
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제출
FQU17P06TU 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
135mOhm @ 6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
IPAK
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
FQU17P06
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FQU17P06TU-OS
표준 패키지
70
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM680P06CH X0G
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
8799
부품 번호
TSM680P06CH X0G-DG
단가
0.24
대체 유형
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