HUF76639S3ST
제조업체 제품 번호:

HUF76639S3ST

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

HUF76639S3ST-DG

설명:

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

재고:

1 새로운 원본 재고 있음
12838529
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제출

HUF76639S3ST 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
UltraFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
51A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
26mOhm @ 51A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
180W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
HUF76639

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
HUF76639S3STFSCT
HUF76639S3STFSDKR
HUF76639S3ST-DG
HUF76639S3STFSTR
표준 패키지
800

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
PHB47NQ10T,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
16433
부품 번호
PHB47NQ10T,118-DG
단가
0.72
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