제조업체 제품 번호:
MJE180PWD
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MJE180PWD-DG
설명:
TRANS NPN 40V 3A TO126
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
재고:
12851428
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제출
MJE180PWD 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
40 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
전력 - 최대
1.5 W
빈도 - 전환
50MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-225AA, TO-126-3
공급업체 장치 패키지
TO-126
기본 제품 번호
MJE180
추가 정보
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075
대체 모델
부품 번호
MJE180 PBFREE
제조사
Central Semiconductor Corp
구매 가능 수량
1112
부품 번호
MJE180 PBFREE-DG
단가
0.84
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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