제조업체 제품 번호:
NSV20101JT1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NSV20101JT1G-DG
설명:
TRANS NPN 20V 1A SC89-3
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 1 A 350MHz 255 mW Surface Mount SC-89-3
재고:
2990 새로운 원본 재고 있음
12860335
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제출
NSV20101JT1G 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Last Time Buy
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
1 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
20 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
220mV @ 100mA, 1A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
전력 - 최대
255 mW
빈도 - 전환
350MHz
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SC-89, SOT-490
공급업체 장치 패키지
SC-89-3
기본 제품 번호
NSV20101
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-NSV20101JT1G-OS
488-NSV20101JT1GTR
488-NSV20101JT1GCT
ONSONSNSV20101JT1G
488-NSV20101JT1GDKR
NSV20101JT1G-DG
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
NSV20101JT1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
2990
부품 번호
NSV20101JT1G-DG
단가
0.51
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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