제조업체 제품 번호:
NTMFS4C808NAT1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTMFS4C808NAT1G-DG
설명:
TRENCH 6 30V NCH
상세 설명:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
재고:
1500 새로운 원본 재고 있음
12969708
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제출
NTMFS4C808NAT1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Ta), 52A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1670 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
760mW (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN, 5 Leads
추가 정보
다른 이름들
488-NTMFS4C808NAT1GCT
488-NTMFS4C808NAT1GDKR
2832-NTMFS4C808NAT1G
2156-NTMFS4C808NAT1G-488
488-NTMFS4C808NAT1GTR
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
NTMFS4C808NAT3G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
0
부품 번호
NTMFS4C808NAT3G-DG
단가
0.39
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
NTMFS4C808NAT1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
1500
부품 번호
NTMFS4C808NAT1G-DG
단가
0.40
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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