제조업체 제품 번호:
NTMS4935NR2G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTMS4935NR2G-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
상세 설명:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 810mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
재고:
12857696
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제출
NTMS4935NR2G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
52.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3639 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
810mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
NTMS49
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSONSNTMS4935NR2G
2156-NTMS4935NR2G-ONTR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SI4634DY-T1-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
4811
부품 번호
SI4634DY-T1-E3-DG
단가
0.65
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