제조업체 제품 번호:
SNSS35200MR6T1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
SNSS35200MR6T1G-DG
설명:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 625 mW Surface Mount 6-TSOP
재고:
3000 새로운 원본 재고 있음
12843950
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제출
SNSS35200MR6T1G 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
2 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
35 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
310mV @ 20mA, 2A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 1.5V
전력 - 최대
625 mW
빈도 - 전환
100MHz
작동 온도
-
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
기본 제품 번호
SNSS35200
추가 정보
다른 이름들
SNSS35200MR6T1G-DG
2832-SNSS35200MR6T1G-488
488-SNSS35200MR6T1GCT
488-SNSS35200MR6T1GDKR
ONSONSSNSS35200MR6T1G
488-SNSS35200MR6T1GTR
2832-SNSS35200MR6T1GTR
2156-SNSS35200MR6T1G-OS
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
SNSS35200MR6T1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
3000
부품 번호
SNSS35200MR6T1G-DG
단가
0.18
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
MBT35200MT1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
2906
부품 번호
MBT35200MT1G-DG
단가
0.12
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
NSS35200MR6T1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
3547
부품 번호
NSS35200MR6T1G-DG
단가
0.16
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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