제조업체 제품 번호:
BSM180D12P2C101
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
BSM180D12P2C101-DG
설명:
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
상세 설명:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
재고:
1 새로운 원본 재고 있음
13523041
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제출
BSM180D12P2C101 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
Silicon Carbide (SiC)
구성
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 35.2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
23000pF @ 10V
전력 - 최대
1130W
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스
Module
공급업체 장치 패키지
Module
기본 제품 번호
BSM180
데이터 시트 및 문서
데이터시트
신뢰성 문서
추가 정보
다른 이름들
Q7641253A
표준 패키지
12
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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