제조업체 제품 번호:
QS8J5TR
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
QS8J5TR-DG
설명:
MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
상세 설명:
Mosfet Array 30V 5A 600mW Surface Mount TSMT8
재고:
2587 새로운 원본 재고 있음
13524904
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
QS8J5TR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Not For New Designs
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
39mOhm @ 5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1100pF @ 10V
전력 - 최대
600mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SMD, Flat Lead
공급업체 장치 패키지
TSMT8
기본 제품 번호
QS8J5
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
846-QS8J5TR
QS8J5TR-ND
846-QS8J5CT
846-QS8J5DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
관련 상품
SP8K5TB
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOP
SP8K31FRATB
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
HS8K1TB
MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML