제조업체 제품 번호:
RS1E350BNTB1
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
RS1E350BNTB1-DG
설명:
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
상세 설명:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
재고:
2425 새로운 원본 재고 있음
12976072
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제출
RS1E350BNTB1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7900 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-HSOP
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
RS1E
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
846-RS1E350BNTB1CT
846-RS1E350BNTB1DKR
846-RS1E350BNTB1TR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RS1E350BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
810
부품 번호
RS1E350BNTB-DG
단가
0.65
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
RS1E350BNTB1
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2425
부품 번호
RS1E350BNTB1-DG
단가
1.19
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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