제조업체 제품 번호:
RW1C015UNT2R
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
RW1C015UNT2R-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
상세 설명:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
재고:
13525367
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제출
RW1C015UNT2R 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.8 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
110 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
400mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-WEMT
패키지 / 케이스
6-SMD, Flat Leads
기본 제품 번호
RW1C015
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
CMLDM7120G TR PBFREE
제조사
Central Semiconductor Corp
구매 가능 수량
2000
부품 번호
CMLDM7120G TR PBFREE-DG
단가
0.22
대체 유형
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