제조업체 제품 번호:
A1F25M12W2-F1
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
A1F25M12W2-F1-DG
설명:
SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
상세 설명:
Mosfet Array 1200V 50A Chassis Mount ACEPACK 1
재고:
12787806
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제출
A1F25M12W2-F1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
STMicroelectronics
포장
Tray
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
Silicon Carbide (SiC)
구성
4 N-Channel
FET 기능
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.9V @ 5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
147nC @ 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3500pF @ 800V
전력 - 최대
-
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급업체 장치 패키지
ACEPACK 1
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
497-A1F25M12W2-F1
표준 패키지
18
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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