제조업체 제품 번호:
STB200N6F3
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STB200N6F3-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
재고:
292 새로운 원본 재고 있음
12876480
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제출
STB200N6F3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
STripFET™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
330W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
STB200N
추가 정보
다른 이름들
497-10025-1
-497-10025-6
1805-STB200N6F3CT
497-10025-2
1805-STB200N6F3DKR
-497-10025-2
-497-10025-1
497-10025-6
1805-STB200N6F3TR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFS3306TRLPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
86
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단가
1.10
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