제조업체 제품 번호:
STB30NM60ND
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STB30NM60ND-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
재고:
12877631
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제출
STB30NM60ND 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
-
시리즈
FDmesh™ II
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2800 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
190W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
STB30N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
497-8475-6
497-8475-2
-497-8475-1
-497-8475-2
497-8475-1
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SIHB28N60EF-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
1229
부품 번호
SIHB28N60EF-GE3-DG
단가
2.59
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