STD13N65M2
제조업체 제품 번호:

STD13N65M2

Product Overview

제조사:

STMicroelectronics

부품 번호:

STD13N65M2-DG

설명:

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
상세 설명:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK

재고:

1792 새로운 원본 재고 있음
12873456
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제출

STD13N65M2 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
MDmesh™ M2
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
590 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
110W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
STD13

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
497-15460-6
497-15460-2
497-15460-1
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FCD7N60TM
제조사
onsemi
구매 가능 수량
5978
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FCD7N60TM-DG
단가
0.91
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