STD8NM60ND
제조업체 제품 번호:

STD8NM60ND

Product Overview

제조사:

STMicroelectronics

부품 번호:

STD8NM60ND-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK

재고:

12880208
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제출

STD8NM60ND 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
FDmesh™ II
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
700mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
560 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
70W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
STD8N

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
497-8775-6
-497-8775-6
497-8775-1
497-8775-2
-497-8775-1
-497-8775-2
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
TK6P60W,RVQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1999
부품 번호
TK6P60W,RVQ-DG
단가
0.75
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