STP110N8F6
제조업체 제품 번호:

STP110N8F6

Product Overview

제조사:

STMicroelectronics

부품 번호:

STP110N8F6-DG

설명:

MOSFET N-CH 80V 110A TO220
상세 설명:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220

재고:

889 새로운 원본 재고 있음
12880246
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제출

STP110N8F6 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
STripFET™ F6
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
110A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9130 pF @ 40 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
200W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
STP110

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
-497-16019-5
5060-STP110N8F6
497-16019-5
표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FDP054N10
제조사
onsemi
구매 가능 수량
919
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FDP054N10-DG
단가
2.39
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