제조업체 제품 번호:
CSD19531KCS
Product Overview
제조사:
Texas Instruments
부품 번호:
CSD19531KCS-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
163 새로운 원본 재고 있음
12794240
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제출
CSD19531KCS 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Texas Instruments
포장
Tube
시리즈
NexFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3870 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
214W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
CSD19531
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
-CSD19531KCS-NDR
2156-CSD19531KCS
-296-37480-5-DG
296-37480-5
TEXTISCSD19531KCS
296-37480-5-NDR
CSD19531KCS-DG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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