제조업체 제품 번호:
HN1B04FU-GR,LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
HN1B04FU-GR,LF-DG
설명:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
재고:
2765 새로운 원본 재고 있음
12891054
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제출
HN1B04FU-GR,LF 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN, PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
150mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
전력 - 최대
200mW
빈도 - 전환
150MHz
작동 온도
125°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
US6
기본 제품 번호
HN1B04
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
HN1B04FU-GR(L,F,T)
HN1B04FU-GRLFT
HN1B04FU-GRLFCT
HN1B04FU-GR(LFT)TR-DG
HN1B04FU-GRLF-DG
HN1B04FU-GR(LFT)DKR-DG
264-HN1B04FU-GR,LFCT
HN1B04FU-GR(LFT)CT-DG
HN1B04FU-GRLFINACTIVE
HN1B04FU-GR(LFT)DKR
HN1B04FU-GRLFCT-DG
HN1B04FU-GR,LF(B
264-HN1B04FU-GR,LFDKR
HN1B04FU-GR(LFT)TR
HN1B04FU-GRLFTR-DG
264-HN1B04FU-GR,LFTR
HN1B04FU-GR(LFT)CT
HN1B04FU-GRLF
HN1B04FU-GRLFDKR-DG
HN1B04FU-GRLFDKR
HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GRLFTR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
DIGI 인증
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