제조업체 제품 번호:
HN3C51F-BL(TE85L,F
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
HN3C51F-BL(TE85L,F-DG
설명:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
재고:
12889539
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제출
HN3C51F-BL(TE85L,F 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
2 NPN (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
120V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
350 @ 2mA, 6V
전력 - 최대
300mW
빈도 - 전환
100MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SC-74, SOT-457
공급업체 장치 패키지
SM6
기본 제품 번호
HN3C51
추가 정보
다른 이름들
HN3C51F-BL(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-BL(TE85L,F)
HN3C51F-BLTE85LF
HN3C51F-BL (TE85L,F
HN3C51F-BL(TE85LFCT
HN3C51FBL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR-DG
HN3C51FBL(TE85LFTR-DG
HN3C51F-BL(TE85LF)CT
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR
HN3C51F-BL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR-DG
HN3C51F-BL(TE85LFDKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
2SC4117-BL,LF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
16200
부품 번호
2SC4117-BL,LF-DG
단가
0.02
대체 유형
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