제조업체 제품 번호:
RN2311(TE85L,F)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
RN2311(TE85L,F)-DG
설명:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
재고:
2610 새로운 원본 재고 있음
12891044
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제출
RN2311(TE85L,F) 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Cut Tape (CT)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
빈도 - 전환
200 MHz
전력 - 최대
100 mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SC-70, SOT-323
공급업체 장치 패키지
SC-70
기본 제품 번호
RN2311
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RN2311(TE85LF)
RN2311(TE85LF)CT
RN2311(TE85LF)TR
RN2311(TE85LF)-DG
RN2311TE85LF
RN2311(TE85LF)DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
DTA114YUAT106
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
800
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단가
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0.01
대체 유형
Upgrade
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