SSM3J66MFV,L3F
제조업체 제품 번호:

SSM3J66MFV,L3F

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

SSM3J66MFV,L3F-DG

설명:

MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
상세 설명:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM

재고:

6318 새로운 원본 재고 있음
12889181
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제출

SSM3J66MFV,L3F 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
U-MOSVI
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
800mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.2V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
+6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
100 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150mW (Ta)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
VESM
패키지 / 케이스
SOT-723
기본 제품 번호
SSM3J66

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
264-SSM3J66MFV,L3FCT
SSM3J66MFVL3FDKR-DG
SSM3J66MFVL3FTR-DG
SSM3J66MFVL3FDKR
SSM3J66MFVL3FCT-DG
264-SSM3J66MFV,L3FDKR
SSM3J66MFV,L3F(B
SSM3J66MFVL3FTR
264-SSM3J66MFV,L3FTR
SSM3J66MFVL3FCT
표준 패키지
8,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095

대체 모델

부품 번호
SSM3J66MFV,L3XHF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
14411
부품 번호
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
단가
0.04
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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