SSM6K411TU(TE85L,F
제조업체 제품 번호:

SSM6K411TU(TE85L,F

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

SSM6K411TU(TE85L,F-DG

설명:

MOSFET N-CH 20V 10A UF6
상세 설명:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6

재고:

12889385
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제출

SSM6K411TU(TE85L,F 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSIV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9.4 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
710 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1W (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
UF6
패키지 / 케이스
6-SMD, Flat Leads
기본 제품 번호
SSM6K411

추가 정보

다른 이름들
SSM6K411TU(TE85LFCT
SSM6K411TU(TE85LFTR
SSM6K411TU(TE85LFDKR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
RF4E110GNTR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
6586
부품 번호
RF4E110GNTR-DG
단가
0.14
대체 유형
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