제조업체 제품 번호:
TK16N60W,S1VF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK16N60W,S1VF-DG
설명:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
상세 설명:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
재고:
30 새로운 원본 재고 있음
12889805
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
TK16N60W,S1VF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
DTMOSIV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.7V @ 790µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1350 pF @ 300 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
130W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
TK16N60
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TK16N60WS1VF
TK16N60W,S1VF(S
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
TK15A60U(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
SSM6K361NU,LF
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK