제조업체 제품 번호:
TK39J60W5,S1VQ
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK39J60W5,S1VQ-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
상세 설명:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
재고:
25 새로운 원본 재고 있음
12890722
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제출
TK39J60W5,S1VQ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
DTMOSIV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.7V @ 1.9mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
270W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3P(N)
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3
기본 제품 번호
TK39J60
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TK39J60W5S1VQ
TK39J60W5,S1VQ(O
표준 패키지
25
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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