제조업체 제품 번호:
TPC6113(TE85L,F,M)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TPC6113(TE85L,F,M)-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 5A VS-6
상세 설명:
P-Channel 20 V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
재고:
12891038
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제출
TPC6113(TE85L,F,M) 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSVI
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
55mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
690 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
700mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
VS-6 (2.9x2.8)
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
TPC6113
추가 정보
다른 이름들
TPC6113TE85LFM
TPC6113(TE85LFM)
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SI3443CDV-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
3901
부품 번호
SI3443CDV-T1-GE3-DG
단가
0.14
대체 유형
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