제조업체 제품 번호:
TPCC8105,L1Q(CM
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TPCC8105,L1Q(CM-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
상세 설명:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
재고:
12942880
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제출
TPCC8105,L1Q(CM 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSVI
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
23A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 500µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs(최대)
+20V, -25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3240 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
700mW (Ta), 30W (Tc)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스
8-VDFN Exposed Pad
기본 제품 번호
TPCC8105
추가 정보
다른 이름들
264-TPCC8105L1Q(CMTR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TPCC8105,L1Q
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
5000
부품 번호
TPCC8105,L1Q-DG
단가
0.24
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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