제조업체 제품 번호:
TW083N65C,S1F
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TW083N65C,S1F-DG
설명:
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
상세 설명:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Through Hole TO-247
재고:
162 새로운 원본 재고 있음
12986853
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제출
TW083N65C,S1F 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
113mOhm @ 15A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 600µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
873 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
111W (Tc)
작동 온도
175°C
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247
패키지 / 케이스
TO-247-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
264-TW083N65CS1F
TW083N65C,S1F(S
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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