제조업체 제품 번호:
IRFR224TRPBF-BE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
IRFR224TRPBF-BE3-DG
설명:
N-CHANNEL 250V
상세 설명:
N-Channel 250 V 3.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
재고:
12977711
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFR224TRPBF-BE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
250 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
IRFR224
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
742-IRFR224TRPBF-BE3TR
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFR224TRPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
2100
부품 번호
IRFR224TRPBF-DG
단가
0.56
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
SQJ454EP-T1_BE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
SQ3469EV-T1_BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
SI3499DV-T1-BE3
P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET