제조업체 제품 번호:
SI2325DS-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI2325DS-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
상세 설명:
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
재고:
21148 새로운 원본 재고 있음
12917627
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제출
SI2325DS-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
150 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
530mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
750mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
SI2325
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI2325DS-T1-GE3DKR
SI2325DST1GE3
SI2325DS-T1-GE3TR
SI2325DS-T1-GE3CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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