제조업체 제품 번호:
SI3481DV-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI3481DV-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP
상세 설명:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
재고:
12917527
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI3481DV-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
48mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.14W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
SI3481
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
DMP3056LDM-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
137612
부품 번호
DMP3056LDM-7-DG
단가
0.11
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BSL307SPH6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
2450
부품 번호
BSL307SPH6327XTSA1-DG
단가
0.23
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RRQ045P03TR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
785
부품 번호
RRQ045P03TR-DG
단가
0.30
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SIHG64N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
PMV164ENEAR
MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
SI4056DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
