제조업체 제품 번호:
SIHB6N65E-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHB6N65E-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
12919026
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제출
SIHB6N65E-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
820 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
78W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
SIHB6
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIHB6N65E-GE3CT-DG
SIHB6N65E-GE3TR
SIHB6N65E-GE3CT
SIHB6N65E-GE3TR-DG
SIHB6N65E-GE3TRINACTIVE
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STB11NM60T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
622
부품 번호
STB11NM60T4-DG
단가
1.81
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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