제조업체 제품 번호:
SIHG30N60E-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHG30N60E-E3-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
상세 설명:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
재고:
12920196
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIHG30N60E-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
29A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2600 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
250W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AC
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SIHG30
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIHG30N60EE3
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPW60R099CPFKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
228
부품 번호
IPW60R099CPFKSA1-DG
단가
4.37
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPW60R125C6FKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
270
부품 번호
IPW60R125C6FKSA1-DG
단가
2.62
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPW60R070CFD7XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1513
부품 번호
IPW60R070CFD7XKSA1-DG
단가
2.78
대체 유형
Direct
부품 번호
IPW60R099C6FKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
678
부품 번호
IPW60R099C6FKSA1-DG
단가
3.48
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPW65R110CFDAFKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
240
부품 번호
IPW65R110CFDAFKSA1-DG
단가
4.28
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SIR662DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
PMBF170,235
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
