제조업체 제품 번호:
SIHW30N60E-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHW30N60E-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
상세 설명:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AD
재고:
159 새로운 원본 재고 있음
12786325
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제출
SIHW30N60E-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
29A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2600 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
250W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AD
패키지 / 케이스
TO-3P-3 Full Pack
기본 제품 번호
SIHW30
추가 정보
다른 이름들
SIHW30N60E-GE3CT
SIHW30N60E-GE3CT-DG
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STW34NM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
300
부품 번호
STW34NM60N-DG
단가
5.32
대체 유형
MFR Recommended
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제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
486
부품 번호
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단가
5.80
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPW60R099CPFKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
228
부품 번호
IPW60R099CPFKSA1-DG
단가
4.37
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPW60R125C6FKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
270
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단가
2.62
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SPW32N50C3FKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
245
부품 번호
SPW32N50C3FKSA1-DG
단가
4.28
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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