제조업체 제품 번호:
SIS932EDN-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIS932EDN-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
상세 설명:
Mosfet Array 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
재고:
5843 새로운 원본 재고 있음
12786793
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIS932EDN-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
22mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1000pF @ 15V
전력 - 최대
2.6W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
PowerPAK® 1212-8 Dual
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8 Dual
기본 제품 번호
SIS932
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIS932EDN-T1-GE3TR
SIS932EDN-T1-GE3CT
SIS932EDN-T1-GE3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SQS966ENW-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
SIA511DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
SIZ340DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
