제조업체 제품 번호:
SQS966ENW-T1_GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SQS966ENW-T1_GE3-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
상세 설명:
Mosfet Array 60V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8W Dual
재고:
8770 새로운 원본 재고 있음
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제출
SQS966ENW-T1_GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
36mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
572pF @ 25V
전력 - 최대
27.8W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스
PowerPAK® 1212-8W Dual
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8W Dual
기본 제품 번호
SQS966
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SQS966ENW-T1_GE3CT
SQS966ENW-T1_GE3DKR
SQS966ENW-T1_GE3TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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