SQJ170ELP-T1_GE3
제조업체 제품 번호:

SQJ170ELP-T1_GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SQJ170ELP-T1_GE3-DG

설명:

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
상세 설명:
N-Channel 60 V 63A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

재고:

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제출

SQJ170ELP-T1_GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
63A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
16.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1165 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
136W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
742-SQJ170ELP-T1_GE3TR
742-SQJ170ELP-T1_GE3CT
742-SQJ170ELP-T1_GE3DKR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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